STP75NS04Z

STP75NS04Z是ST意法半导体MESH OVERLAY III系列的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于极低的导通阻抗与优化的开关特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至11毫欧（@40A），栅极电荷（Qg）最大值仅为50nC，这共同确保了器件在高电流工况下具备出色的导通效率与快速的开关响应。

该器件额定漏源电压（Vdss）为33V，在壳温（Tc）条件下可支持高达80A的连续漏极电流，最大功率耗散为110W。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应苛刻的环境要求。这些参数使其成为中低电压、大电流功率处理应用的理想选择，尤其注重损耗与热管理的设计。

• 型号:STP75NS04Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 33V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:33 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:箝位
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1860 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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