STP78N75F4技术参数详情：
STP78N75F4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于结合了75V的漏源电压（Vdss）额定值与高达78A（Tc）的连续漏极电流处理能力，能够满足高功率应用的需求。
该器件基于STripFET和DeepGATE技术，实现了极低的导通电阻，最大值仅为11毫欧 @ 39A, 10V，这显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在76nC @ 10V，有利于实现高效的开关操作并减少驱动电路的负担。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。
- 型号:STP78N75F4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 75V 78A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:75 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):78A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 39A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:76 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5015 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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