STP7N52DK3

STP7N52DK3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于SuperFREDmesh3产品系列。该器件采用TO-220AB通孔封装，核心规格包括525V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温条件下6A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1.15欧姆（@3A），有助于降低传导损耗。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值为33nC，输入电容（Ciss）最大为870pF，确保了较低的栅极驱动需求和快速的开关速度，从而有效降低开关损耗，提升系统整体效率。

• 型号:STP7N52DK3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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