STP7N65M2技术参数详情：
STP7N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括650V的漏源击穿电压（Vdss）以及在25°C管壳温度下5A的连续漏极电流（Id）承载能力。
其技术亮点在于实现了导通特性与开关性能的良好平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至1.15欧姆（@2.5A），有助于降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为9nC（@10V），有利于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为中功率离线式开关电源和高压开关应用的经典选择之一。
- 型号:STP7N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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