STP7N95K3

STP7N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-220-3封装，核心优势在于其950V的高漏源电压（Vdss）与经过优化的低导通电阻特性，这为高压开关应用提供了优异的电气性能和可靠性。

其电气参数设计均衡，在壳温条件下连续漏极电流（Id）可达7.2A，最大功率耗散为150W。优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）使其能够适应苛刻的工业环境。这款MOSFET是构建高效、紧凑型高压功率转换系统的理想选择。

• 型号:STP7N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1031 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP7N95K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。