STP7NB60

STP7NB60是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，属于其高性能的PowerMESH产品系列。该器件核心优势在于其600V的高耐压和7.2A的连续电流处理能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术参数突出高效与易驱动特性：在10V栅极电压下，导通电阻典型值低至1.2欧姆，能显著降低导通损耗；同时，最大栅极电荷仅为45nC，有助于实现快速的开关切换并减小驱动损耗。器件支持高达150°C的结温，配合良好的散热设计，可确保系统在严苛环境下的长期稳定运行。

• 型号:STP7NB60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.2A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1625 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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