STP7NK30Z技术参数详情：
STP7NK30Z是意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于高达300V的漏源击穿电压（Vdss）与低至900毫欧（@10V， 2.5A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这得益于先进的SuperMESH技术，有效优化了高压下的导通损耗。
该器件在25°C壳温下可连续通过5A电流，最大功率耗散为50W。其栅极电荷（Qg）典型值较低，有利于实现快速的开关切换，降低驱动损耗。宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性，适用于要求严苛的功率开关场合。
- 型号:STP7NK30Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 300V 5A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:300 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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