STP7NK80ZFP技术参数详情：
STP7NK80ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心特性包括高达800V的漏源击穿电压（Vdss）以及在10V栅极驱动下仅1.8欧姆的低导通电阻（Rds(on)），这使其在导通状态下能有效降低功耗，提升能效。
器件在25°C壳温下可支持5.2A的连续漏极电流，并采用TO-220FP绝缘封装，便于散热和安装。其栅极电荷（Qg）低至56nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗，适用于高频开关电源设计。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性和耐用性。
- 型号:STP7NK80ZFP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1138 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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