STP80N70F4技术参数详情：
STP80N70F4是ST意法半导体基于STripFET技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、40A Id条件下最大仅9.8mΩ，配合85A的连续漏极电流能力，可显著降低功率转换系统中的传导损耗。
器件额定漏源电压（Vdss）为68V，栅极电荷（Qg）最大90nC，有助于实现高效的开关性能。其结温工作范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为150W（Tc），确保了在工业电源、电机驱动等高要求应用中的稳定性和可靠性。
- 型号:STP80N70F4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 68V 85A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:68 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.8 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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