STP80NE06-10技术参数详情：
STP80NE06-10是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。其核心卖点在于优异的电流处理能力和极低的导通损耗，在壳温条件下支持高达80A的连续漏极电流，同时其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动下最大值仅为10毫欧，这显著降低了导通期间的功率耗散。
该器件具备60V的漏源电压（Vdss）额定值，适用于中压应用环境。其最大栅极电荷（Qg）为140nC，结合175°C的最高工作结温，确保了在要求苛刻的功率开关场景中，如电源转换和电机驱动，能够实现可靠且高效的操作。
- 型号:STP80NE06-10
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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