STP80NF06技术参数详情：
STP80NF06是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用TO-220AB封装。该器件核心特性在于其60V的漏源电压（Vdss）和高达80A的连续漏极电流（Id）处理能力，能够胜任中高功率应用场景。
其技术亮点包括极低的导通电阻，在10V Vgs、40A Id条件下典型值仅为8毫欧，这直接带来了更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，150nC的最大栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。器件具备175°C的最高结温和300W的功率耗散能力，确保了在高温高功率环境下的长期运行可靠性。
- 型号:STP80NF06
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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