STP80NF55-08

STP80NF55-08是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，属于其高性能STripFET产品系列。该器件核心优势在于其极低的导通电阻（典型值，在10V Vgs、40A Id条件下最大为8mΩ）与高达80A的连续漏极电流处理能力，这使其在导通状态下的功率损耗显著降低。

其55V的漏源电压（Vdss）额定值适用于多种中压功率转换场景。同时，优化的栅极电荷（Qg最大155nC）有助于实现高效的开关性能，减少驱动损耗。器件结温范围宽达-55°C至175°C，最大功耗为300W（Tc），确保了在严苛环境下的可靠运行。这些参数共同定义了其作为高效率、高可靠性功率开关的核心价值。

• 型号:STP80NF55-08
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:155 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP80NF55-08，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。