STP80PF55

STP80PF55是意法半导体推出的一款采用TO-220AB封装的P沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件核心优势在于其55V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流处理能力，结合低至18毫欧（@40A, 10V）的导通电阻，能够显著降低功率开关应用中的传导损耗。

其电气特性包括最大4V的栅极阈值电压和±16V的栅源电压耐受范围，确保了驱动的便利性与可靠性。器件支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，最大功率耗散为300W（Tc），适用于对效率和热性能有较高要求的场景。这些参数使其成为DC-DC转换、电机控制和电源管理等中等功率应用的理想选择。

• 型号:STP80PF55
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:258 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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