STP85NF55L技术参数详情：
STP85NF55L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件设计用于处理高功率应用，核心参数包括55V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下高达80A的连续漏极电流（Id）。
其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和40A Id条件下，Rds(on)最大值仅为8毫欧，这显著降低了导通状态下的功率损耗和温升。同时，2.5V的最大栅极阈值电压确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。这些特性使其能够胜任高效率的功率开关任务。
尽管该产品目前已停产，但其在25°C时300W的功率耗散能力以及-55°C至175°C的宽工作结温范围，曾使其成为要求高可靠性和高功率密度的电源转换与电机驱动应用的优选解决方案之一。
- 型号:STP85NF55L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4050 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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