STP8NK80Z技术参数详情：
STP8NK80Z是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数包括800V的漏源电压（Vdss）和6.2A的连续漏极电流（Id），专为需要处理高电压的功率开关应用而设计。
其技术亮点在于通过优化的内部结构，实现了较低的导通电阻（1.5Ω @ 3.1A, 10V）与合理的栅极电荷（46nC @ 10V），这有助于在降低导通损耗的同时，保持良好的开关性能。结合140W的功率耗散能力与-55°C至150°C的宽工作结温范围，该器件为电源转换和电机控制等应用提供了坚固且高效的解决方案。
- 型号:STP8NK80Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 3.1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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