STP8NM60D技术参数详情：
STP8NM60D是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220AB通孔封装，核心电气规格包括600V的漏源电压(Vdss)和8A的连续漏极电流(Id)，为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好折衷。在10V驱动电压下，导通电阻典型值较低，有助于减少传导损耗；同时，最大18nC的栅极电荷(Qg)确保了快速的开关切换和较低的驱动损耗。这些特性共同提升了电源系统的整体效率。该器件适用于开关电源、功率因数校正及电机驱动等对效率和可靠性有较高要求的领域。
- 型号:STP8NM60D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 8A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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