STP8NM60N

STP8NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id）。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为650毫欧，这一特性确保了在导通状态下具有较低的功率损耗。

此外，该MOSFET具备优异的动态性能，其最大栅极电荷（Qg）低至19nC，配合560pF的输入电容（Ciss），有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件采用TO-220AB通孔封装，最大功耗为70W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，提供了良好的热管理和环境适应性。这些参数共同构成了其在高效电源转换和电机控制等应用中的可靠基础。

• 型号:STP8NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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