STP90N55F4

STP90N55F4是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。该器件隶属于先进的DeepGATE和STripFET产品系列，核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力。

其关键电气参数包括55V的漏源电压（Vdss）和高达90A（Tc）的连续漏极电流。在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值低至8毫欧（@45A），这能显著降低功率损耗并提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）典型值为90nC，支持快速的开关频率，适用于高效率的开关电源设计。

该MOSFET工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为150W（Tc），结合标准TO-220封装带来的良好散热特性，确保了其在严苛应用环境下的高可靠性和稳定性。

• 型号:STP90N55F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP90N55F4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。