STP9NK60Z

STP9NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）和7A连续漏极电流（Id），采用TO-220AB通孔封装，专为高效功率开关应用而设计。

其技术亮点在于通过SuperMESH技术实现了优异的性能平衡：在保持高击穿电压的同时，将导通电阻（Rds(on)）显著降低至950毫欧（最大值），这直接减少了导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg最大53nC）确保了快速的开关特性，有助于提升系统工作效率并简化驱动电路设计。

该器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为125W，具备高可靠性和鲁棒性，非常适用于开关电源、电机驱动、PFC及照明等高压、高频的功率转换场景。

• 型号:STP9NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP9NK60Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。