STP9NK65Z技术参数详情：
STP9NK65Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）额定值与优化的动态参数相结合，提供了出色的效率与可靠性平衡。
其关键电气参数包括：在10V驱动电压下具有较低的导通电阻，有助于减少传导损耗；优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关特性和较低的驱动需求。器件采用标准的TO-220AB通孔封装，在壳温条件下支持6.4A的连续漏极电流和125W的功率耗散能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求高稳健性的工业级应用环境。
- 型号:STP9NK65Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1145 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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