STPSC10065DLF技术参数详情：
STPSC10065DLF是意法半导体推出的一款650V、10A碳化硅肖特基二极管，采用PowerFlat HV表面贴装封装。其核心优势在于利用碳化硅材料特性，实现了零反向恢复时间（trr）和零反向恢复电荷（Qrr），这能极大降低高频开关应用中的开关损耗，提升系统效率。
该器件在10A正向电流下的典型正向压降为1.45V，并具有极低的反向漏电流和结电容。这些参数共同确保了低导通损耗与出色的高频性能。其650V的高耐压与10A的电流能力，使其成为要求高效率、高功率密度和高可靠性的功率转换设计的理想选择，例如PFC电路、太阳能逆变器和电动汽车充电系统。
- 型号:STPSC10065DLF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):10A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 10 A
- 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:130 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:670pF @ 0V，1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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