STPSC10TH13TI技术参数详情：
STPSC10TH13TI是意法半导体基于碳化硅技术制造的肖特基二极管阵列，采用TO-220-3封装。其核心优势在于利用宽禁带半导体特性，实现了零反向恢复时间（0ns）和零反向恢复电荷，彻底消除了传统硅二极管在高压高频开关中的反向恢复损耗与噪声。
该器件额定参数为650V反向耐压与10A平均整流电流，在10A电流下正向压降仅为1.75V，确保了低导通损耗。其工作结温最高可达150°C，且在650V满压下的反向漏电流极低（100A），展现了碳化硅器件在高温、高压下的卓越稳定性与可靠性，适用于追求高效率和高功率密度的先进电源设计方案。
- 型号:STPSC10TH13TI
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220AB 绝缘
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
- 描述:DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO220AB
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 二极管配置:1 对串行连接
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:10A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 10 A
- 速度:无恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 650 V
- 工作温度 - 结:150°C（最大）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220AB 绝缘
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