STPSC12065G-TR技术参数详情:
STPSC12065G-TR是ST意法半导体生产的一款650V/12A碳化硅(SiC)肖特基二极管,采用D2PAK表面贴装封装。该器件利用碳化硅材料的宽禁带特性,实现了传统硅基快恢复二极管无法比拟的性能。
其核心卖点在于零反向恢复时间(trr)和零反向恢复电荷(Qrr),这彻底消除了开关过程中的反向恢复损耗与电流振荡,显著提升高频硬开关电路的效率。同时,它在12A额定电流下的正向压降仅为1.45V,兼具低导通损耗。高达650V的阻断电压和优异的温度稳定性,使其成为高效率、高功率密度电源设计的理想选择。
- 型号:STPSC12065G-TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):12A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 12 A
- 速度:零恢复时间 \> 500mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:750pF @ 0V,1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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