STPSC12H065CT技术参数详情：
STPSC12H065CT是ST意法半导体推出的一款650V/6A碳化硅肖特基二极管阵列，采用TO-220-3封装和1对共阴极配置。该器件利用碳化硅材料的宽带隙特性，实现了极低的反向恢复电荷和快速开关性能（≤ 500ns），能显著降低高频开关应用中的开关损耗和电磁干扰。
其电气参数表现优异，在6A电流下正向压降仅为1.75V，有助于减少导通损耗；在650V反向电压下泄漏电流低至60A。同时，它支持-40°C至175°C的宽结温工作范围，确保了在高环境温度或高功率密度设计中的可靠运行。这些特性使其成为提升工业电源、新能源逆变及汽车电子等应用效率与功率密度的理想选择。
- 型号:STPSC12H065CT
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
- 描述:DIODE ARRAY SIC 650V 6A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 二极管配置:1 对共阴极
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:6A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 6 A
- 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 A @ 650 V
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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