STPSC15H12D

STPSC15H12D是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管。该器件采用先进的宽禁带半导体技术，额定参数为1200V反向电压与15A平均整流电流，在15A电流下的典型正向压降仅为1.5V，实现了优异的低导通损耗特性。

其最核心的技术优势在于彻底消除了少数载流子存储效应，实现了零反向恢复时间（trr=0ns）和零反向恢复电荷（Qrr）。这一特性使其在高速开关应用中能够完全避免传统二极管存在的反向恢复损耗与电流振荡，从而大幅提升系统效率、工作频率及可靠性。器件采用TO-220AC通孔封装，便于安装散热，主要面向高效率服务器电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设施及工业电源等高端功率转换领域。

• 型号:STPSC15H12D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220AC
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):15A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 15 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90 A @ 1200 V
• 不同Vr、F 时电容:1200pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-2
• 供应商器件封装:TO-220AC
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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