STPSC20065DI技术参数详情：
STPSC20065DI是意法半导体基于碳化硅技术制造的一款20A、650V肖特基二极管。该器件的核心优势在于其单极导电机制，实现了理论上的零反向恢复时间，彻底消除了传统硅二极管关断时的反向恢复损耗和电流尖峰。
其参数表现优异，在20A额定电流下正向压降仅为1.45V，有助于降低导通损耗。高达650V的反向击穿电压和低至300A的反向漏电流确保了在高电压环境下的可靠阻断能力。采用TO-220AC绝缘封装，便于安装和散热，适用于要求高效率和高功率密度的先进电源设计。
- 型号:STPSC20065DI
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220AC ins
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIC 650V 20A TO220AC INS
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):20A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 20 A
- 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:1250pF @ 0V，1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-2 绝缘，TO-220AC
- 供应商器件封装:TO-220AC ins
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
- 现在可以订购STPSC20065DI，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
