STPSC4H065DI技术参数详情：
STPSC4H065DI是ST意法半导体基于先进碳化硅技术开发的一款650V/4A肖特基势垒二极管。该器件采用TO-220AC绝缘封装，其核心优势在于利用碳化硅材料的宽禁带特性，实现了极低的正向压降（典型值1.75V @ 4A）和近乎理想的无反向恢复特性，从而显著降低了导通与开关损耗。
其高达650V的反向耐压和仅40A @ 650V的低反向漏电流，确保了在高压环境下出色的阻断能力和可靠性。这些特性使其特别适用于高频、高效率的功率转换场景，如PFC电路、开关电源和光伏逆变器，是提升系统功率密度和整体能效的关键元器件。
- 型号:STPSC4H065DI
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220AC ins
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIC 650V 4A TO220AC INS
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):4A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 4 A
- 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-2 绝缘，TO-220AC
- 供应商器件封装:TO-220AC ins
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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