STPSC8065D技术参数详情:
STPSC8065D是ST意法半导体推出的一款650V、8A碳化硅肖特基二极管,采用TO-220AC封装。该器件利用碳化硅宽禁带材料的优势,实现了零反向恢复时间(0 ns),从根本上消除了开关损耗和相关的电磁干扰,特别适用于高频开关电源设计。
其关键参数包括在8A电流下典型值仅为1.45V的低正向压降,以及在650V反向电压下仅105A的低漏电流,这共同保障了系统的高效率与低待机功耗。该二极管无恢复时间的特性使其成为功率因数校正(PFC)、太阳能逆变器和UPS等追求高功率密度与高可靠性能应用的理想选择。
- 型号:STPSC8065D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220AC
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):8A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 8 A
- 速度:零恢复时间 \> 500mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:105 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:540pF @ 0V,1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-2
- 供应商器件封装:TO-220AC
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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