STPSC806G-TR

STPSC806G-TR是意法半导体基于碳化硅技术制造的肖特基势垒整流二极管，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于利用宽禁带半导体特性，实现了600V的高反向耐压与8A的平均整流电流，同时保持了1.7V（@8A）的低正向压降。

该器件最显著的技术特点是其零反向恢复时间（trr）和零反向恢复电荷，这源于肖特基结的单极导电机制，彻底消除了传统硅快恢复二极管固有的开关损耗和电流振荡问题。结合其低至100A（@600V）的反向漏电流和450pF的结电容，STPSC806G-TR为高效率、高频率的功率转换应用提供了理想的解决方案。

• 型号:STPSC806G-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 600V 8A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:600 V
• 电流 - 平均整流 (Io):8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 8 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 600 V
• 不同Vr、F 时电容:450pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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