STPSC8H065B-TR技术参数详情：
STPSC8H065B-TR是ST意法半导体生产的一款650V/8A碳化硅肖特基二极管，采用DPAK表面贴装封装。该器件利用碳化硅材料的优势，实现了零反向恢复时间（0 ns）和零反向恢复电流，从根本上消除了开关损耗和相关的电压振荡。
其关键参数包括在8A电流下1.75V的典型正向压降，以及在650V反向电压下仅80A的低漏电流，确保了高效率的功率转换。这些特性使其成为要求高频、高效和高可靠性的功率拓扑，如PFC、SMPS和太阳能逆变器的理想选择。
- 型号:STPSC8H065B-TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):8A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 8 A
- 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:414pF @ 0V，1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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