STPSC8H065BY-TR技术参数详情：
STPSC8H065BY-TR是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级650V碳化硅肖特基整流二极管。该器件采用先进的SiC技术，提供8A的平均整流电流，并具备零反向恢复时间（0 ns）的特性，能极大降低高频开关应用中的开关损耗和电磁干扰。
其650V的高反向耐压和低至80A的反向漏电流确保了在高压环境下的可靠阻断能力。器件采用DPAK表面贴装封装，具有良好的散热性能，适用于对效率、功率密度和可靠性有严苛要求的汽车电子及工业电源系统，如车载充电器、DC-DC转换器和功率因数校正电路。
- 型号:STPSC8H065BY-TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):8A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
- 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:414pF @ 0V，1MHz
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
- 现在可以订购STPSC8H065BY-TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
