STPSC8H065CT技术参数详情：
STPSC8H065CT是ST意法半导体生产的一款650V、4A碳化硅肖特基二极管阵列，采用TO-220-3封装。该器件采用一对共阴极配置，核心优势在于利用碳化硅材料实现了卓越的开关性能。
其最显著的技术亮点是零反向恢复时间（0ns trr），这彻底消除了传统硅二极管关断时的反向恢复损耗和电流尖峰，为高频开关应用奠定了坚实基础。同时，它具备1.75V @ 4A的低正向压降和高达175°C的宽结温工作范围，在提升系统效率与功率密度的同时，确保了高温环境下的运行可靠性。
- 型号:STPSC8H065CT
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
- 描述:DIODE ARRAY SIC 650V 4A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 二极管配置:1 对共阴极
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:4A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 4 A
- 速度:无恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 A @ 650 V
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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