STPSC8H065DI技术参数详情：
STPSC8H065DI是意法半导体基于碳化硅技术制造的一款650V/8A肖特基势垒二极管。该器件采用TO-220AC绝缘封装，其核心优势在于利用碳化硅材料的特性，实现了近乎零的反向恢复电荷，从而彻底消除了传统硅二极管在开关过程中产生的反向恢复损耗和电流振荡。
在电气性能上，它在8A正向电流下的典型压降仅为1.75V，导通损耗低；在650V额定反向电压下，漏电流保持在极低的80A水平，关断特性优异。这些参数共同决定了其在高温和高频下的卓越稳定性与可靠性，使其成为提升开关电源、光伏逆变器和工业电机驱动等系统效率与功率密度的关键元件。
- 型号:STPSC8H065DI
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220AC ins
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIC 650V 8A TO220AC INS
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):8A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 8 A
- 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-2 绝缘，TO-220AC
- 供应商器件封装:TO-220AC ins
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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