STPSC8H065G2Y-TR技术参数详情：
STPSC8H065G2Y-TR是意法半导体提供的AEC-Q101认证汽车级碳化硅肖特基二极管。该器件采用宽禁带半导体技术，在650V的反向电压和8A的平均整流电流规格下，实现了仅为1.65V的低正向压降，有效优化了导通损耗。
其最核心的技术优势在于基于碳化硅材料的肖特基势垒特性，实现了理论上的零反向恢复时间（0 ns）和零反向恢复电荷。这一特性彻底消除了传统硅快恢复二极管的开关拖尾电流，从而大幅降低开关损耗和相关的EMI噪声，为高效率、高频率的功率开关应用奠定了基础。器件采用DPak表面贴装封装，符合汽车电子可靠性及环保要求。
- 型号:STPSC8H065G2Y-TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK HV
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK HV
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):8A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.65 V @ 8 A
- 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:414pF @ 0V，1MHz
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK HV
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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