STQ1HNK60R-AP技术参数详情：
STQ1HNK60R-AP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH系列。该器件采用TO-92-3通孔封装，核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）额定值，能够满足离线式电源等高压应用的需求。
在电气性能上，它在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻（Rds(on)）和极低的栅极电荷（Qg），这共同实现了高效的功率切换和较低的开关损耗。其工作结温范围宽（-55°C至150°C），确保了在苛刻环境下的稳定运行，适用于中小功率开关电源、LED驱动及各类需要可靠高压开关的电子设备。
- 型号:STQ1HNK60R-AP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-92-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
- 包装:剪切带（CT）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:156 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-92-3
- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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