STQ1NK60ZR-AP技术参数详情：
STQ1NK60ZR-AP是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-92-3通孔封装。作为SuperMESH系列的一员，其核心优势在于高达600V的漏源电压（Vdss）和优化的开关特性，能够满足高压环境下的应用需求。
该器件在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻，同时其极低的栅极电荷（最大值6.9nC）和输入电容确保了快速的开关速度，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，提供了良好的环境适应性，适用于要求高可靠性的工业与消费电子领域。
- 型号:STQ1NK60ZR-AP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-92-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
- 包装:剪切带（CT）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 欧姆 @ 400mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:94 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-92-3
- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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