STQ3NK50ZR-AP技术参数详情：
STQ3NK50ZR-AP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其500V的高漏源电压（Vdss）额定值，结合3.3欧姆的最大导通电阻（@10V, 1.15A），为小功率高压开关应用提供了优异的耐压能力和较低的导通损耗。
其电气特性经过优化，栅极阈值电压典型值适于标准逻辑电平驱动，且最大栅极电荷（Qg）仅为15nC，有助于实现简洁高效的驱动电路设计并控制开关损耗。器件采用通孔TO-92-3封装，额定连续漏极电流（Id）为500mA（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在多种环境条件下的应用灵活性与可靠性。
- 型号:STQ3NK50ZR-AP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-92-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 500MA TO92-3
- 包装:带盒（TB）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 欧姆 @ 1.15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-92-3
- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
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