STR1P2UH7

STR1P2UH7是ST意法半导体推出的一款采用SOT-23封装的P沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET H7产品系列。该器件在20V的漏源电压（V_DSS）下支持高达1.4A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在4.5V驱动电压下典型值仅为100毫欧，这显著降低了导通状态下的功率损耗。

同时，该MOSFET具备优异的开关性能，其栅极阈值电压低至1V，栅极总电荷（Q_g）最大值为4.8nC，使其能够被标准的低压微控制器（如1.8V/3.3V逻辑）高效驱动，并实现快速的开关速度。这些特性使其成为空间和能效要求苛刻的便携式电子设备中，用于负载切换、电源管理和DC-DC转换等功能的理想解决方案。

• 型号:STR1P2UH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 700mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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