STRVS252X02F技术参数详情：
STRVS252X02F是ST意法半导体生产的一款轴向封装TVS齐纳二极管，为核心电子元件提供高效的瞬态过压保护。其设计围绕明确的电压参数展开：171V的反向断态电压与190V的最小击穿电压定义了保护阈值，而高达252V的最大箝位电压则确保在2A（10/1000s）的峰值脉冲电流冲击下，被保护电路端的电压能被有效限制。
该器件采用单向通道设计，适用于直流或极性明确的电路保护场景，尤其是功率MOSFET的防护。其宽工作结温范围（-55°C至175°C）与通孔安装方式，使其能够适应要求高可靠性的工业环境。尽管产品状态已标注为停产，但其参数组合仍代表了针对特定过压保护需求的一种经典解决方案。
- 型号:STRVS252X02F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DO-201
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 171VWM 252VC DO201
- 包装:带盒（TB）
- 产品状态:停产
- 类型:齐纳
- 单向通道:1
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态（典型值）:171V
- 电压 - 击穿（最小值）:190V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:252V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):2A（8/20s）
- 功率 - 峰值脉冲:-
- 电源线路保护:无
- 应用:MOSFET 保护
- 不同频率时电容:-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向
- 供应商器件封装:DO-201
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