STS10P3LLH6

STS10P3LLH6是ST意法半导体推出的一款采用STripFET H6技术的P沟道功率MOSFET。该器件设计用于30V、10A的应用环境，其核心特性在于极低的导通电阻，在10V V_GS下典型值仅为12毫欧，这显著降低了导通状态下的功率损耗。

器件具备优异的开关性能，其最大栅极电荷为33nC，支持4.5V至10V的标准驱动电压，并兼容±20V的栅极耐压，确保了快速、高效的开关切换。其采用8-SO表面贴装封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于对空间和温度要求严苛的场合。

综合来看，STS10P3LLH6以其高效率、低损耗和良好的热性能，主要面向低压大电流的开关应用，如DC-DC转换、电机控制和电池管理系统，是提升终端产品能效和可靠性的理想选择。

• 型号:STS10P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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