STS12NF30L

STS12NF30L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其STripFET II产品系列。该器件采用8-SO表面贴装封装，核心优势在于其优异的导通性能与开关特性平衡。

其关键参数包括30V的漏源电压、12A的连续漏极电流，以及在10V Vgs、6A Id条件下仅9毫欧的最大导通电阻。同时，低至50nC的栅极电荷有助于降低驱动损耗并支持较高频率的开关操作。这些特性使其非常适合用于DC-DC转换、电机驱动及负载开关等对效率和空间有要求的应用场景。

• 型号:STS12NF30L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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