STS12NH3LL

STS12NH3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用30V漏源电压（V_DSS）设计，在壳温条件下可支持高达12A的连续漏极电流，并凭借其先进的沟槽工艺实现了极低的导通电阻，典型值低至10.5毫欧（@6A，10V），能显著降低功率损耗。

其开关特性经过优化，具有较低的栅极电荷和输入电容，有助于提升开关速度并减少驱动损耗。器件采用8-SO表面贴装封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在紧凑空间和宽温环境下的可靠运行。这些特性使其成为中低功率开关电源、电机驱动及电池管理应用的理想选择。

• 型号:STS12NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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