STS17NH3LL技术参数详情：
STS17NH3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用8-SO表面贴装封装，核心优势在于其卓越的电气性能平衡。
其关键参数包括30V的漏源电压(Vdss)和高达17A(Tc)的连续漏极电流处理能力。最突出的卖点是极低的导通电阻，在10V Vgs、8.5A Id条件下，Rds(on)最大值仅为5.7mΩ，能显著降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（最大值24nC @ 4.5V）有利于实现高效快速的开关操作，减少驱动损耗。这些特性使其成为低压、大电流应用中追求高效率和小型化的理想选择。
- 型号:STS17NH3LL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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