STS19N3LLH6

STS19N3LLH6是ST意法半导体基于STripFET VI技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。该器件核心优势在于其优异的导通性能与开关特性的平衡，其漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）高达19A，而导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下可低至5.6毫欧，能显著降低功率损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC，输入电容（Ciss）为1690pF，确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，兼容常见的逻辑电平驱动。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。这些特性使其成为空间受限、要求高效率的电源转换和电机驱动应用的理想选择。

• 型号:STS19N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 15 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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