STS1NK60Z技术参数详情：
STS1NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用8-SO表面贴装封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与250mA连续漏极电流（Id），在高压小电流应用场景中表现出色。
其技术优势在于实现了低导通电阻与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值较低，有助于减少导通损耗。同时，极低的栅极电荷（最大6.9nC）和输入电容确保了快速的开关瞬态响应，有利于提升开关频率并降低开关损耗。器件支持高达±30V的栅源电压，具备良好的鲁棒性，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，满足工业级可靠性要求。
- 型号:STS1NK60Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 欧姆 @ 400mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:94 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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