STS20N3LLH6技术参数详情：
STS20N3LLH6是ST意法半导体基于STripFET VI技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。该器件的核心优势在于其极低的导通电阻（典型值4.7mΩ @ 10A, 10V）与高电流处理能力（连续漏极电流20A @ Tc），旨在最大限度地降低功率转换应用中的传导损耗。
其设计兼顾了开关性能与易驱动性，具备较低的栅极电荷（17nC @ 4.5V）和与逻辑电平兼容的栅极阈值电压，支持高频高效开关。30V的漏源电压使其适用于主流低压电源系统，如DC-DC转换、电机驱动和电池管理电路，是追求高功率密度解决方案的关键组件。
- 型号:STS20N3LLH6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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