STS2DPF80技术参数详情：
STS2DPF80是ST意法半导体推出的一款采用STripFET技术的双P沟道MOSFET阵列，集成于8-SOIC封装中。每个通道额定为80V Vdss和2A连续漏极电流，具备逻辑电平门控特性（Vgs(th) ≤ 4V），可直接由低压微控制器驱动，简化了接口设计。
该器件在1A，10V条件下的导通电阻低至250毫欧，有助于降低传导损耗。其动态性能优异，栅极电荷（Qg）仅20nC，支持快速的开关切换。这些特性使其成为空间紧凑、要求高效率的功率开关应用的理想选择，如DC-DC转换、电机控制和电源管理电路。
- 型号:STS2DPF80
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 个 P 沟道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:80V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:739pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2.5W
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 现在可以订购STS2DPF80，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
