STS3P6F6

STS3P6F6是ST意法半导体生产的一款P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。作为STripFET VI系列的一员，它集成了DeepGATE技术，提供了60V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id）处理能力。

器件的核心优势在于其优异的开关性能与低损耗特性。其在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）低至160毫欧，有助于减少导通状态下的功率损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大6.4nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态响应，适合高频开关应用。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备良好的环境适应性。

• 型号:STS3P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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