STS4C3F60L

STS4C3F60L是ST意法半导体STripFET系列中的一款N沟道与P沟道MOSFET阵列芯片，采用8-SOIC封装。该器件集成了逻辑电平门驱动功能，其栅极阈值电压最大仅1V，可直接由低压微控制器驱动，简化了电路设计。

其电气性能突出，具备60V的漏源电压耐受能力，N沟道和P沟道分别支持4A和3A的连续漏极电流。关键参数包括低至55毫欧的导通电阻（@10V，2A）以及仅20.4nC的栅极电荷（@4.5V），这共同确保了较低的导通损耗和高效的开关性能，最大功耗为2W。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于对可靠性和温度适应性有要求的各类应用。

• 型号:STS4C3F60L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A，3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.4nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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