STS4DNFS30L技术参数详情：
STS4DNFS30L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET系列。该器件采用8-SO表面贴装封装，核心特性包括30V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id）能力，能够满足中等功率等级的应用需求。
其技术亮点在于极低的导通电阻（典型值55mΩ @ 10V Vgs）和较低的栅极电荷（9nC @ 5V Vgs），这共同实现了高效的功率转换和快速的开关速度。此外，器件内部集成了一个隔离式肖特基二极管，增强了其在开关应用中的鲁棒性。这些参数使其成为空间紧凑型DC-DC转换、电机驱动及负载管理等应用的理想选择。
- 型号:STS4DNFS30L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:330 pF @ 25 V
- FET 功能:肖特基二极管（隔离式）
- 功率耗散（最大值）:2W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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